Microsemi Corporation - APTC60DDAM70CT1G

KEY Part #: K6523789

[4664vnt. sandėlyje]


    Dalies numeris:
    APTC60DDAM70CT1G
    Gamintojas:
    Microsemi Corporation
    Išsamus aprašymas:
    MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1.
    Manufacturer's standard lead time:
    Prekyboje
    Tinkamumo laikas:
    Vieneri metai
    Čipas nuo:
    Honkongas
    RoHS:
    Mokėjimo būdas:
    Siuntos būdas:
    Šeimos kategorijos:
    PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Diodai - lygintuvai - masyvai, Tranzistoriai - specialios paskirties, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai, Galios tvarkyklės moduliai, Diodai - tiltiniai lygintuvai, Tiristoriai - SCR - moduliai and Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas ...
    Konkurencinis pranašumas:
    We specialize in Microsemi Corporation APTC60DDAM70CT1G electronic components. APTC60DDAM70CT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTC60DDAM70CT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APTC60DDAM70CT1G Produkto atributai

    Dalies numeris : APTC60DDAM70CT1G
    Gamintojas : Microsemi Corporation
    apibūdinimas : MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1
    Serija : CoolMOS™
    Dalies būsena : Obsolete
    FET tipas : 2 N-Channel (Dual)
    FET funkcija : Super Junction
    Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 600V
    Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 39A
    „Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 70 mOhm @ 39A, 10V
    VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 3.9V @ 2.7mA
    Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 259nC @ 10V
    Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 7000pF @ 25V
    Galia - maks : 250W
    Darbinė temperatūra : -40°C ~ 150°C (TJ)
    Montavimo tipas : Chassis Mount
    Pakuotė / Byla : SP1
    Tiekėjo įrenginio paketas : SP1

    Galbūt jus taip pat domina
    • PMGD175XN,115

      NXP USA Inc.

      MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP.

    • FDG6318P

      ON Semiconductor

      MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6.

    • IRF7503TRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8.

    • IRF7507TRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N/P-CH 20V 1.7A MICRO8.

    • UPA1764G-E2-AZ

      Renesas Electronics America

      MOSFET 2N-CH 60V 7A 8-SOIC.

    • TMC1340-SO

      Trinamic Motion Control GmbH

      MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SOIC.