Samsung Semiconductor - K4B4G1646D-BYNB

KEY Part #: K7359698

[21068vnt. sandėlyje]


    Dalies numeris:
    K4B4G1646D-BYNB
    Gamintojas:
    Samsung Semiconductor
    Išsamus aprašymas:
    4 Gb 256M x 16 2133 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.
    Manufacturer's standard lead time:
    Prekyboje
    Tinkamumo laikas:
    Vieneri metai
    Čipas nuo:
    Honkongas
    RoHS:
    Mokėjimo būdas:
    Siuntos būdas:
    Šeimos kategorijos:
    PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: GDDR6, LPDDR4, MODULE, HBM Aquabolt, LPDDR5, SLC Nand, LPDDR3 and HBM Flarebolt ...
    Konkurencinis pranašumas:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4B4G1646D-BYNB electronic components. K4B4G1646D-BYNB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4B4G1646D-BYNB, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4B4G1646D-BYNB Produkto atributai

    Dalies numeris : K4B4G1646D-BYNB
    Gamintojas : Samsung Semiconductor
    apibūdinimas : 4 Gb 256M x 16 2133 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production
    Serija : DDR3
    tankis : 4 Gb
    Org. : 256M x 16
    greitis : 2133 Mbps
    Įtampa : 1.35 V
    Temp. : 0 ~ 85 °C
    paketas : 96FBGA
    Prekės statusas : Mass Production

    Galbūt jus taip pat domina
    • M378A1K43BB1-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CTD

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43CB2-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    • M378A1K43CB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    • M378A1K43CB2-CTD

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.