Vishay Siliconix - SI8472DB-T2-E1

KEY Part #: K6421288

SI8472DB-T2-E1 Kainodara (USD) [424690vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.08709
  • 3,000 pcs$0.08227

Dalies numeris:
SI8472DB-T2-E1
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Išsamus aprašymas:
MOSFET N-CH 20V 3.3A MICRO.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš , Tranzistoriai - IGBT - masyvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Galios tvarkyklės moduliai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF, Tiristoriai - SCR - moduliai, Diodai - RF and Tranzistoriai - specialios paskirties ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Vishay Siliconix SI8472DB-T2-E1 electronic components. SI8472DB-T2-E1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI8472DB-T2-E1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI8472DB-T2-E1 Produkto atributai

Dalies numeris : SI8472DB-T2-E1
Gamintojas : Vishay Siliconix
apibūdinimas : MOSFET N-CH 20V 3.3A MICRO
Serija : TrenchFET®
Dalies būsena : Active
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 20V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : -
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 1.5V, 4.5V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 44 mOhm @ 1.5A, 4.5V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 900mV @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 18nC @ 8V
VG (maks.) : ±8V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 630pF @ 10V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas : Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas : 4-Micro Foot (1x1)
Pakuotė / Byla : 4-UFBGA

Galbūt jus taip pat domina