IXYS - IXFA6N120P TRL

KEY Part #: K6417020

IXFA6N120P TRL Kainodara (USD) [23109vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$1.97162
  • 800 pcs$1.96182

Dalies numeris:
IXFA6N120P TRL
Gamintojas:
IXYS
Išsamus aprašymas:
MOSFET N-CH 1200V 6A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tiristoriai - TRIAC, Diodai - lygintuvai - masyvai, Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai, Diodai - lygintuvai - viengubi, Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Diodai - „Zener“ - vienviečiai, Tiristoriai - SCR and Tranzistoriai - IGBT - moduliai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in IXYS IXFA6N120P TRL electronic components. IXFA6N120P TRL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFA6N120P TRL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFA6N120P TRL Produkto atributai

Dalies numeris : IXFA6N120P TRL
Gamintojas : IXYS
apibūdinimas : MOSFET N-CH 1200V 6A D2PAK
Serija : HiPerFET™, PolarP2™
Dalies būsena : Active
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 1200V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 6A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 2.4 Ohm @ 500mA, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 5V @ 1mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 92nC @ 10V
VG (maks.) : ±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 2830pF @ 25V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 250W (Tc)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas : Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas : TO-263 (IXFA)
Pakuotė / Byla : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Galbūt jus taip pat domina
  • ZVN3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • FQN1N60CTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.

  • FDD8870

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK.

  • TK33S10N1Z,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK.

  • IRFR4105TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

  • IRLR3636TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.