Taiwan Semiconductor Corporation - S8GC M6G

KEY Part #: K6457844

S8GC M6G Kainodara (USD) [718289vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.05149

Dalies numeris:
S8GC M6G
Gamintojas:
Taiwan Semiconductor Corporation
Išsamus aprašymas:
DIODE GEN PURP 400V 8A DO214AB.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF, Tranzistoriai - IGBT - moduliai, Tranzistoriai - IGBT - masyvai, Tranzistoriai - JFET, Diodai - lygintuvai - masyvai, Diodai - lygintuvai - viengubi, Galios tvarkyklės moduliai and Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation S8GC M6G electronic components. S8GC M6G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S8GC M6G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S8GC M6G Produkto atributai

Dalies numeris : S8GC M6G
Gamintojas : Taiwan Semiconductor Corporation
apibūdinimas : DIODE GEN PURP 400V 8A DO214AB
Serija : -
Dalies būsena : Not For New Designs
Diodo tipas : Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 400V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 8A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 985mV @ 8A
Greitis : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) : -
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 10µA @ 400V
Talpa @ Vr, F : 48pF @ 4V, 1MHz
Montavimo tipas : Surface Mount
Pakuotė / Byla : DO-214AB, SMC
Tiekėjo įrenginio paketas : DO-214AB (SMC)
Darbinė temperatūra - sankryža : -55°C ~ 150°C

Galbūt jus taip pat domina
  • RGL34G-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 400 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • BYM07-300-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 300 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • BYM07-50-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 50 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • EGL34C-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 150 Volt 50ns

  • EGL34F-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 300 Volt 50ns

  • EGL34A-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 0.5 Amp 50 Volt 50ns