Vishay Siliconix - SI3909DV-T1-E3

KEY Part #: K6524056

[3958vnt. sandėlyje]


    Dalies numeris:
    SI3909DV-T1-E3
    Gamintojas:
    Vishay Siliconix
    Išsamus aprašymas:
    MOSFET 2P-CH 20V 6TSOP.
    Manufacturer's standard lead time:
    Prekyboje
    Tinkamumo laikas:
    Vieneri metai
    Čipas nuo:
    Honkongas
    RoHS:
    Mokėjimo būdas:
    Siuntos būdas:
    Šeimos kategorijos:
    PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Galios tvarkyklės moduliai, Tiristoriai - DIAC, SIDAC, Diodai - RF, Tranzistoriai - IGBT - masyvai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF, Diodai - Zener - masyvai and Diodai - „Zener“ - vienviečiai ...
    Konkurencinis pranašumas:
    We specialize in Vishay Siliconix SI3909DV-T1-E3 electronic components. SI3909DV-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI3909DV-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI3909DV-T1-E3 Produkto atributai

    Dalies numeris : SI3909DV-T1-E3
    Gamintojas : Vishay Siliconix
    apibūdinimas : MOSFET 2P-CH 20V 6TSOP
    Serija : TrenchFET®
    Dalies būsena : Obsolete
    FET tipas : 2 P-Channel (Dual)
    FET funkcija : Logic Level Gate
    Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 20V
    Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : -
    „Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 200 mOhm @ 1.8A, 4.5V
    VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 500mV @ 250µA (Min)
    Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 4nC @ 4.5V
    Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : -
    Galia - maks : 1.15W
    Darbinė temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Montavimo tipas : Surface Mount
    Pakuotė / Byla : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    Tiekėjo įrenginio paketas : 6-TSOP