RBR3LAM30ATR Kainodara (USD) [808518vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$0.05057
- 3,000 pcs$0.05032
- 6,000 pcs$0.04727
- 15,000 pcs$0.04422
- 30,000 pcs$0.04056
- Dalies numeris:
- RBR3LAM30ATR
- Gamintojas:
- Rohm Semiconductor
- Išsamus aprašymas:
- DIODE SCHOTTKY 30V 3A PMDTM. Schottky Diodes & Rectifiers 30V Vr 3A Io Schottky Br Diode
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš , Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai, Galios tvarkyklės moduliai, Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai), Tiristoriai - DIAC, SIDAC, Tiristoriai - SCR and Tranzistoriai - IGBT - moduliai ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Rohm Semiconductor RBR3LAM30ATR electronic components. RBR3LAM30ATR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RBR3LAM30ATR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RBR3LAM30ATR Produkto atributai
Dalies numeris :
RBR3LAM30ATR
Gamintojas :
Rohm Semiconductor
apibūdinimas :
DIODE SCHOTTKY 30V 3A PMDTM
Serija :
-
Dalies būsena :
Active
Diodo tipas :
Schottky
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
30V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
3A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
580mV @ 3A
Greitis :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) :
-
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
50µA @ 30V
Talpa @ Vr, F :
-
Montavimo tipas :
Surface Mount
Pakuotė / Byla :
SOD-128
Tiekėjo įrenginio paketas :
PMDTM
Darbinė temperatūra - sankryža :
150°C (Max)
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
BYM07-150HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 0.5A,150V,50NS GL34 AEC-Q101 Qualified
-
BYM07-400-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated
-
EGL34G-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 400 Volt 50ns
-
GL34B-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 100 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM
-
GL34G-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM
-
GL34D-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 200 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM
Karštos dalys
- S1J-TP
- S9147D
- SF10DG-B
- RGP10G-6038M3/73
- 1N4005-N-0-3-AP
- R7004203XXUA
- VS-1EFH02W-M3-18
- 1N3297R
- SS5P9HM3/86A
- UES2604
- EGP10AHM3/73
- EGP10A
- S4240F
- R9G20609CSOO
- 1N3909R
- 1N5622GP-E3/54
- SR502-T-F
- BYD13GGP-E3/73
- DGS17-03CS
- VF20100SG-E3/45
- SD103BW-13-F
- FESE16DT-E3/45
- JANTX1N6623
- MR756G
- RS2K-13
- 181NQ045R
- 50WQ10FN
- VS-11DQ04TR
- BAS21TA
- SS36HE3_A/I
- MBRS1100T3H
- BAT43-L0 A0G
- IDW30E60AFKSA1
- STPSC10H065G-TR
- RM 11CV
- NRVS3GB
- GP10JE-E3/73
- GL41J-E3/97
- BY206GP-E3/54
- LS101C-GS18