apibūdinimas :
GANFET TRANS 80V BUMPED DIE
Technologija :
GaNFET (Gallium Nitride)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) :
80V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C :
6.8A (Ta)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) :
5V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG :
25 mOhm @ 6A, 5V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID :
2.5V @ 2mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs :
2.4nC @ 5V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds :
210pF @ 40V
Galios išsklaidymas (maks.) :
-
Darbinė temperatūra :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas :
Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas :
Die