Vaizdas | PAGRINDINĖ dalis # Gamintojas | Aprašymas / PDF | Kiekis / RFQ |
---|---|---|---|
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 89V 19DB SOT467B. |
710vnt. sandėlyje |
|
Ampleon USA Inc. |
RF MOSFET LDMOS 32V SOT502B. |
261vnt. sandėlyje |
|
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 104V 21DB SOT467B. |
897vnt. sandėlyje |
|
IXYS-RF |
RF MOSFET N-CHANNEL DE375. |
4227vnt. sandėlyje |
|
M/A-Com Technology Solutions |
FET RF 2CH 65V 175MHZ 375-04. |
511vnt. sandėlyje |
|
Microsemi Corporation |
RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247. |
2607vnt. sandėlyje |
|
Ampleon USA Inc. |
RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT502B. |
1214vnt. sandėlyje |
|
Ampleon USA Inc. |
RF MOSFET LDMOS 32V SOT502B. |
345vnt. sandėlyje |
|
Ampleon USA Inc. |
RF MOSFET LDMOS 32V SOT502A. |
261vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
RF POWER LDMOS TRANSISTOR 2450. |
717vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
FET RF 110V 1.03GHZ NI-1230H. |
254vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
FET RF 110V 1.03GHZ NI-780S. |
186vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
PULSE LATERAL N-CHANNEL RF POWER. |
407vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 70V 803MHZ. |
920vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 65V 2.17GHZ NI780-4. |
1834vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
IC RF LDMOS TRANS CELL. |
1231vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
FET RF 66V 880MHZ TO-272-4. |
1429vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
PULSED LATERAL N-CHANNEL RF POWE. |
252vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
TRANS 1.8--600MHZ 150W CW 50V. |
3345vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 65V 2.9GHZ NI1230. |
258vnt. sandėlyje |