Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF


Vaizdas PAGRINDINĖ dalis # Gamintojas Aprašymas / PDF Kiekis / RFQ
BLF871S,112

BLF871S,112

Ampleon USA Inc.

RF FET LDMOS 89V 19DB SOT467B.

710vnt. sandėlyje

BLS9G2934LS-400U

BLS9G2934LS-400U

Ampleon USA Inc.

RF MOSFET LDMOS 32V SOT502B.

261vnt. sandėlyje

BLF881S,112

BLF881S,112

Ampleon USA Inc.

RF FET LDMOS 104V 21DB SOT467B.

897vnt. sandėlyje

375-501N21A-00

375-501N21A-00

IXYS-RF

RF MOSFET N-CHANNEL DE375.

4227vnt. sandėlyje

MRF141G

MRF141G

M/A-Com Technology Solutions

FET RF 2CH 65V 175MHZ 375-04.

511vnt. sandėlyje

ARF463AP1G

ARF463AP1G

Microsemi Corporation

RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247.

2607vnt. sandėlyje

BLF8G27LS-140,112

BLF8G27LS-140,112

Ampleon USA Inc.

RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT502B.

1214vnt. sandėlyje

BLA9G1011LS-300U

BLA9G1011LS-300U

Ampleon USA Inc.

RF MOSFET LDMOS 32V SOT502B.

345vnt. sandėlyje

BLS9G2934L-400U

BLS9G2934L-400U

Ampleon USA Inc.

RF MOSFET LDMOS 32V SOT502A.

261vnt. sandėlyje

MHT1004NR3

MHT1004NR3

NXP USA Inc.

RF POWER LDMOS TRANSISTOR 2450.

717vnt. sandėlyje

MRF6V12500HSR5

MRF6V12500HSR5

NXP USA Inc.

FET RF 110V 1.03GHZ NI-1230H.

254vnt. sandėlyje

MMRF1009HSR5

MMRF1009HSR5

NXP USA Inc.

FET RF 110V 1.03GHZ NI-780S.

186vnt. sandėlyje

MMRF1008GHR5

NXP USA Inc.

PULSE LATERAL N-CHANNEL RF POWER.

407vnt. sandėlyje

A2T07D160W04SR3

A2T07D160W04SR3

NXP USA Inc.

FET RF 2CH 70V 803MHZ.

920vnt. sandėlyje

MRF8HP21080HR3

MRF8HP21080HR3

NXP USA Inc.

FET RF 2CH 65V 2.17GHZ NI780-4.

1834vnt. sandėlyje

A2T21H100-25SR3

NXP USA Inc.

IC RF LDMOS TRANS CELL.

1231vnt. sandėlyje

MRFE6S9125NBR1

MRFE6S9125NBR1

NXP USA Inc.

FET RF 66V 880MHZ TO-272-4.

1429vnt. sandėlyje

MRF6V12500GSR5

NXP USA Inc.

PULSED LATERAL N-CHANNEL RF POWE.

252vnt. sandėlyje

MMRF1320GNR1

NXP USA Inc.

TRANS 1.8--600MHZ 150W CW 50V.

3345vnt. sandėlyje

MRF8P29300HR6

MRF8P29300HR6

NXP USA Inc.

FET RF 2CH 65V 2.9GHZ NI1230.

258vnt. sandėlyje