| Vaizdas | PAGRINDINĖ dalis # Gamintojas | Aprašymas / PDF | Kiekis / RFQ |
|---|---|---|---|
 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 133V 512MHZ NI-780-4. |
1262vnt. sandėlyje |
 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230S. |
161vnt. sandėlyje |
 |
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 2.11GHZ NI780-2L2L. |
654vnt. sandėlyje |
 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 70V 960MHZ NI-1230HS. |
435vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 1.93GHZ NI880XGS. |
905vnt. sandėlyje |
 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230. |
587vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
TRANS 1030MHZ 1550W PEAK 50V. |
159vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 133V 230MHZ NI1230GS. |
585vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
TRANS 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V. |
183vnt. sandėlyje |
 |
NXP USA Inc. |
TRANS LDMOS 35W 512 MHZ 65V. |
2120vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 65V 2.5GHZ NI880X-4. |
996vnt. sandėlyje |
 |
Ampleon USA Inc. |
BLL9G1214L-600/SOT502/TRAY. |
249vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO. |
907vnt. sandėlyje |
 |
NXP USA Inc. |
IC TRANS RF LDMOS. |
1748vnt. sandėlyje |
 |
NXP USA Inc. |
TRANS RF LDMOS 600W 50V. |
1093vnt. sandėlyje |
 |
Microsemi Corporation |
RF PWR MOSFET 900V 6.5A TO247. |
2245vnt. sandėlyje |
 |
Ampleon USA Inc. |
RF MOSFET LDMOS 32V SOT502F. |
345vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
FET RF 1.8GHZ 166W NI-780S-2L2. |
1770vnt. sandėlyje |
 |
NXP USA Inc. |
IC TRANS RF LDMOS. |
1711vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
IC TRANS RF LDMOS. |
1020vnt. sandėlyje |
Klasifikavimo puslapiai
- Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF - Puslapis26
- Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF - Puslapis27
- Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF - Puslapis28
- Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF - Puslapis29
- Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF - Puslapis30
- Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF - Puslapis31
- Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF - Puslapis32
- Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF - Puslapis33
- Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF - Puslapis34
- Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF - Puslapis35
success