Tranzistoriai - IGBT - moduliai, VS-GT200TP065N, FS75R07N2E4B11BOSA1, 41

PAGRINDINĖ dalis # Gamintojas	Aprašymas / PDF	Kiekis / RFQ
MG06400D-BN4MM Littelfuse Inc.	IGBT 600V 500A 1250W PKG D.	586vnt. sandėlyje
VS-GT200TP065N Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT.	810vnt. sandėlyje
FS75R07N2E4B11BOSA1 Infineon Technologies	MOD IGBT LOW PWR ECONO2-6.	1222vnt. sandėlyje
VS-GT50TP60N Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 85A 208W INT-A-PAK.	535vnt. sandėlyje
FS100R17KS4F Infineon Technologies	IGBT MODULE VCES 600V 100A.	71vnt. sandėlyje
FZ2400R17HP4B29BOSA2 Infineon Technologies	MODULE IGBT IHMB190-1.	59vnt. sandėlyje
FP75R17N3E4B11BPSA1 Infineon Technologies	MOD IGBT LOW PWR ECONO3-3.	505vnt. sandėlyje
FP50R07N2E4B11BOSA1 Infineon Technologies	IGBT MODULE VCES 600V 50A.	1236vnt. sandėlyje
FS100R07N2E4B11BOSA1 Infineon Technologies	IGBT MODULE VCES 600V 100A.	1050vnt. sandėlyje
VS-GB100LP120N Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 200A 658W INT-A-PAK.	1197vnt. sandėlyje
VS-GB75TP120U Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 105A 500W INT-A-PAK.	1099vnt. sandėlyje
VS-GB75TP120N Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 150A 543W INT-A-PAK.	404vnt. sandėlyje
VS-GB100TP120N Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 200A 650W INT-A-PAK.	881vnt. sandėlyje
VS-GB50TP120N Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 100A 446W INT-A-PAK.	1278vnt. sandėlyje
FD800R17KE3B2NOSA1 Infineon Technologies	IGBT MODULE 1700V 800A.	82vnt. sandėlyje
F4-50R07W2H3_B51 Infineon Technologies	IGBT MODULE VCES 650V 50A.	1956vnt. sandėlyje
VS-GT100TP60N Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 160A 417W INT-A-PAK.	427vnt. sandėlyje
VS-GT50TP120N Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 100A 405W INT-A-PAK.	1278vnt. sandėlyje
FF800R17KP4B2NOSA2 Infineon Technologies	IGBT MODULE 1700V 800A.	88vnt. sandėlyje
FP75R17N3E4BPSA1 Infineon Technologies	IGBT MODULE VCES 600V 75A.	552vnt. sandėlyje

Tranzistoriai - IGBT - moduliai

Klasifikavimo puslapiai