| Vaizdas | PAGRINDINĖ dalis # Gamintojas | Aprašymas / PDF | Kiekis / RFQ |
|---|---|---|---|
 |
Samsung Semiconductor |
UFS 2.1 32 GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.2 mm -40 ~ 85 °C Mass Production. |
17314vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
UFS 2.1 32 GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.2 mm -40 ~ 105 °C Mass Production. |
20468vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
UFS 2.1 64 GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.0 mm -25 ~ 85 °C Mass Production. |
23209vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
UFS 2.1 64 GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.0 mm -25 ~ 85 °C Mass Production. |
14362vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
UFS 2.1 64 GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.2 mm -40 ~ 85 °C Mass Production. |
14367vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
UFS 2.1 64 GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.2 mm -40 ~ 105 °C Mass Production. |
14685vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
UFS 2.1 128 GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.0 mm -25 ~ 85 °C Mass Production. |
16279vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
UFS 2.1 128 GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.2 mm -40 ~ 85 °C Mass Production. |
23289vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
UFS 2.1 128 GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.2 mm -40 ~ 105 °C Mass Production. |
14179vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
UFS 2.1 256 GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.72 mm -40 ~ 105 °C Mass Production. |
26335vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
UFS 2.1 512 GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.0 mm -25 ~ 85 °C Mass Production. |
22600vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
UFS 2.1 1 TB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.4 mm -25 ~ 85 °C Mass Production. |
19948vnt. sandėlyje |
|
Samsung Semiconductor |
UFS 3.0 1 TB 1.2 / 2.5 V G4 2Lane 11.5 x 13 x 1.25 mm -25 ~ 85 °C Sample. |
17877vnt. sandėlyje |
Klasifikavimo puslapiai
success