Atmintis


Vaizdas PAGRINDINĖ dalis # Gamintojas Aprašymas / PDF Kiekis / RFQ
MT48LC8M16A2F4-75:G TR

MT48LC8M16A2F4-75:G TR

Micron Technology Inc.

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA.

7212vnt. sandėlyje

MT48LC4M16A2B4-7E:G TR

MT48LC4M16A2B4-7E:G TR

Micron Technology Inc.

IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA.

1116vnt. sandėlyje

MT48LC4M16A2F4-7E:G TR

MT48LC4M16A2F4-7E:G TR

Micron Technology Inc.

IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA.

1097vnt. sandėlyje

MT48LC4M16A2F4-75:G TR

MT48LC4M16A2F4-75:G TR

Micron Technology Inc.

IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA.

1080vnt. sandėlyje

MT47H32M16BN-3 IT:D TR

MT47H32M16BN-3 IT:D TR

Micron Technology Inc.

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA.

1063vnt. sandėlyje

MT47H32M16BN-37E IT:D TR

MT47H32M16BN-37E IT:D TR

Micron Technology Inc.

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA.

1046vnt. sandėlyje

MT47H32M16BN-25E IT:D TR

MT47H32M16BN-25E IT:D TR

Micron Technology Inc.

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA.

7202vnt. sandėlyje

MT47H64M8B6-25E IT:D TR

MT47H64M8B6-25E IT:D TR

Micron Technology Inc.

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA.

1011vnt. sandėlyje

MT47H32M16BN-5E IT:D TR

MT47H32M16BN-5E IT:D TR

Micron Technology Inc.

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA.

994vnt. sandėlyje

STK14C88-C45I

STK14C88-C45I

Cypress Semiconductor Corp

IC NVSRAM 256K PARALLEL 32CDIP.

159vnt. sandėlyje

MT47H64M8B6-37E IT:D TR

MT47H64M8B6-37E IT:D TR

Micron Technology Inc.

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA.

959vnt. sandėlyje

MT47H64M8B6-5E IT:D TR

MT47H64M8B6-5E IT:D TR

Micron Technology Inc.

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA.

941vnt. sandėlyje

MT47H64M8B6-3 IT:D TR

MT47H64M8B6-3 IT:D TR

Micron Technology Inc.

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA.

924vnt. sandėlyje

MT47H128M4B6-25:D TR

MT47H128M4B6-25:D TR

Micron Technology Inc.

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA.

907vnt. sandėlyje

MT47H32M16BN-25:D TR

MT47H32M16BN-25:D TR

Micron Technology Inc.

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA.

890vnt. sandėlyje

MT47H64M8B6-25:D TR

MT47H64M8B6-25:D TR

Micron Technology Inc.

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA.

873vnt. sandėlyje

MT47H128M4B6-25E:D TR

MT47H128M4B6-25E:D TR

Micron Technology Inc.

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA.

854vnt. sandėlyje

MT47H32M16BN-25E:D TR

MT47H32M16BN-25E:D TR

Micron Technology Inc.

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA.

837vnt. sandėlyje

MT47H32M16BN-37E:D TR

MT47H32M16BN-37E:D TR

Micron Technology Inc.

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA.

820vnt. sandėlyje

MT47H64M8B6-5E:D TR

MT47H64M8B6-5E:D TR

Micron Technology Inc.

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA.

803vnt. sandėlyje