| Vaizdas | PAGRINDINĖ dalis # Gamintojas | Aprašymas / PDF | Kiekis / RFQ |
|---|---|---|---|
 |
Micron Technology Inc. |
IC FLASH 4M PARALLEL 40TSOP. |
12677vnt. sandėlyje |
|
Micron Technology Inc. |
IC FLASH 4M PARALLEL 40TSOP. |
12662vnt. sandėlyje |
|
Micron Technology Inc. |
IC FLASH 4M PARALLEL 40TSOP. |
12646vnt. sandėlyje |
|
Micron Technology Inc. |
IC FLASH 4M PARALLEL 32PLCC. |
12629vnt. sandėlyje |
|
Micron Technology Inc. |
IC FLASH 4M PARALLEL 32PLCC. |
12613vnt. sandėlyje |
|
Micron Technology Inc. |
IC FLASH 16M PARALLEL 40TSOP. |
12596vnt. sandėlyje |
|
Micron Technology Inc. |
IC FLASH 8M PARALLEL 32TSOP. |
12581vnt. sandėlyje |
|
Micron Technology Inc. |
IC FLASH 8M PARALLEL 32TSOP. |
12564vnt. sandėlyje |
|
Micron Technology Inc. |
IC FLASH 8M PARALLEL 40TSOP. |
12548vnt. sandėlyje |
|
Micron Technology Inc. |
IC FLASH 8M PARALLEL 40TSOP. |
12531vnt. sandėlyje |
|
Micron Technology Inc. |
IC FLASH 8M PARALLEL 32PLCC. |
12515vnt. sandėlyje |
|
Micron Technology Inc. |
IC FLASH 8M PARALLEL 32PLCC. |
12500vnt. sandėlyje |
 |
Cypress Semiconductor Corp |
IC FLASH 1G PARALLEL 64BGA. NOR Flash Nor |
13416vnt. sandėlyje |
 |
Rohm Semiconductor |
IC DRAM 16M PARALLEL KBU. |
13416vnt. sandėlyje |
 |
Toshiba Memory America, Inc. |
4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) |
13416vnt. sandėlyje |
|
Cypress Semiconductor Corp |
IC FLASH 1G PARALLEL 64BGA. NOR Flash Nor |
13416vnt. sandėlyje |
|
Micron Technology Inc. |
IC FLASH 8M PARALLEL 32TSOP. |
12417vnt. sandėlyje |
|
Toshiba Memory America, Inc. |
4G SLC NAND BGA 24NM. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) |
13416vnt. sandėlyje |
|
Cypress Semiconductor Corp |
IC FLASH 1G PARALLEL 64BGA. NOR Flash Nor |
13416vnt. sandėlyje |
 |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II. DRAM 512M 64Mx8 200MHz DDR 2.5V |
13416vnt. sandėlyje |
success