Vaizdas | PAGRINDINĖ dalis # Gamintojas | Aprašymas / PDF | Kiekis / RFQ |
---|---|---|---|
Micron Technology Inc. |
IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP. DRAM DDR 512M 32MX16 TSOP |
20470vnt. sandėlyje |
|
Micron Technology Inc. |
IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP. DRAM DDR 512M 64MX8 TSOP |
20470vnt. sandėlyje |
|
IDT, Integrated Device Technology Inc |
IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ. SRAM 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM |
20477vnt. sandėlyje |
|
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 128M, 3.3V, M-SDRAM 4Mx32, 133Mhz, RoHS |
20477vnt. sandėlyje |
|
Alliance Memory, Inc. |
IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA. DRAM 1G 1.8V 64M x 16 DDR2 A-Temp |
20477vnt. sandėlyje |
|
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
IC SRAM 8M PARALLEL 48TSOP. SRAM 8Mb 512Kx16 45ns Async SRAM |
20477vnt. sandėlyje |
|
IDT, Integrated Device Technology Inc |
IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ. SRAM 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM |
20477vnt. sandėlyje |
|
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP. DRAM 256M 16Mx16 143MHz SDR SDRAM, 3.3V |
20477vnt. sandėlyje |
|
IDT, Integrated Device Technology Inc |
IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ. SRAM 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM |
20477vnt. sandėlyje |
|
Alliance Memory, Inc. |
IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA. DRAM 2G 1.35V 256M x 8 DDR3 E-Temp |
20477vnt. sandėlyje |
|
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP. DRAM Automotive,256M,3.3V SDRAM,16Mx16,143MHz |
20490vnt. sandėlyje |
|
Macronix |
IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP. |
20490vnt. sandėlyje |
|
Macronix |
IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP. |
20490vnt. sandėlyje |
|
Winbond Electronics |
IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 128M SDR SDRAM x32, 166MHz, |
20494vnt. sandėlyje |
|
Alliance Memory, Inc. |
IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256Mb, 3.3V, 143Mhz 8M x 32 SDRAM |
20509vnt. sandėlyje |
|
Alliance Memory, Inc. |
IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA. DRAM 1G 1.5V 800MHz 128Mx8 DDR3 A-Temp |
20509vnt. sandėlyje |
|
Alliance Memory, Inc. |
IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA. DRAM 1G 1.35V 800MHz 128Mx8 DDR3 A-Temp |
20509vnt. sandėlyje |
|
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA. DRAM 256M, 1.8V, 267Mhz 16Mx16 DDR2 |
20509vnt. sandėlyje |
|
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP. DRAM Automotive,256M,3.3V SDRAM,16Mx16,166MHz |
20516vnt. sandėlyje |
|
Micron Technology Inc. |
IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA. |
20538vnt. sandėlyje |