Vaizdas | PAGRINDINĖ dalis # Gamintojas | Aprašymas / PDF | Kiekis / RFQ |
---|---|---|---|
Alliance Memory, Inc. |
IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64Mb, 3.3V, 143Mhz 2M x 32 SDRAM |
32393vnt. sandėlyje |
|
IDT, Integrated Device Technology Inc |
IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ. SRAM 128Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM |
32393vnt. sandėlyje |
|
Cypress Semiconductor Corp |
IC SRAM 1M PARALLEL 32SOIC. SRAM 1Mb 45ns 128K x 8 Low Power SRAM |
32393vnt. sandėlyje |
|
Alliance Memory, Inc. |
IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II. SRAM 1M, 3.3V, 12ns, FAST 64K x 16 Asynch SRAM |
32393vnt. sandėlyje |
|
Cypress Semiconductor Corp |
IC FLASH 64M SPI 133MHZ 24FBGA. |
32393vnt. sandėlyje |
|
Cypress Semiconductor Corp |
IC FLASH 64M SPI 80MHZ 24FBGA. NOR Flash 64 Mbit (8 Mbyte) 1.8-V FS-S Flash |
32393vnt. sandėlyje |
|
Cypress Semiconductor Corp |
IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8LGA. |
32393vnt. sandėlyje |
|
IDT, Integrated Device Technology Inc |
IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP. SRAM 32Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V STATIC RAM |
32393vnt. sandėlyje |
|
Macronix |
IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP. |
32393vnt. sandėlyje |
|
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA. DRAM 512M 32Mx16 400MHz DDR2 1.8V |
32393vnt. sandėlyje |
|
Toshiba Memory America, Inc. |
IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM) |
32393vnt. sandėlyje |
|
Cypress Semiconductor Corp |
IC FLASH 64M SPI 80MHZ 8LGA. NOR Flash 64 Mbit (8 Mbyte) 1.8-V FS-S Flash |
32393vnt. sandėlyje |
|
Alliance Memory, Inc. |
IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP. DRAM |
32393vnt. sandėlyje |
|
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA. DRAM 512M 32Mx16 333MHz DDR2 1.8V |
32393vnt. sandėlyje |
|
Alliance Memory, Inc. |
IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP. DRAM |
32393vnt. sandėlyje |
|
Cypress Semiconductor Corp |
IC FLASH 16M PARALLEL 80FBGA. NOR Flash Nor |
32412vnt. sandėlyje |
|
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA. DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS |
32414vnt. sandėlyje |
|
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP. DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 166MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS |
32415vnt. sandėlyje |
|
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II. DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 166MHz |
32415vnt. sandėlyje |
|
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II. DRAM 256M, 2.5V, DDR, 32Mx8, 200MHz |
32415vnt. sandėlyje |