Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Namai
  2. Produktai
  3. Integrinės grandinės (IC)
  4. Atmintis

Atmintis


Vaizdas PAGRINDINĖ dalis # Gamintojas Aprašymas / PDF Kiekis / RFQ
MT47H64M8CB-37V:B

MT47H64M8CB-37V:B

Micron Technology Inc.

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA.

12210vnt. sandėlyje
MT47H64M4BP-37E:B

MT47H64M4BP-37E:B

Micron Technology Inc.

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA.

12193vnt. sandėlyje
DS1270AB-70IND#

DS1270AB-70IND#

Maxim Integrated

IC NVSRAM 16M PARALLEL 36EDIP. NVRAM 16M NV SRAM

550vnt. sandėlyje
MT47H32M8BP-5E:B TR

MT47H32M8BP-5E:B TR

Micron Technology Inc.

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA.

12159vnt. sandėlyje
MT47H32M8BP-5E:B

MT47H32M8BP-5E:B

Micron Technology Inc.

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA.

12142vnt. sandėlyje
MT47H64M16BT-37E:A

MT47H64M16BT-37E:A

Micron Technology Inc.

IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA.

12123vnt. sandėlyje
DS1270AB-70#

DS1270AB-70#

Maxim Integrated

IC NVSRAM 16M PARALLEL 36EDIP. NVRAM 16M NV SRAM

552vnt. sandėlyje
DS1270AB-100#

DS1270AB-100#

Maxim Integrated

IC NVSRAM 16M PARALLEL 36EDIP. NVRAM 16M NV SRAM

552vnt. sandėlyje
MT47H32M16CC-5E:B

MT47H32M16CC-5E:B

Micron Technology Inc.

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA.

12072vnt. sandėlyje
MT47H32M8BP-37V:B

MT47H32M8BP-37V:B

Micron Technology Inc.

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA.

12055vnt. sandėlyje
MT47H32M16CC-5E:B TR

MT47H32M16CC-5E:B TR

Micron Technology Inc.

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA.

12037vnt. sandėlyje
CY7C1562XV18-450BZC

CY7C1562XV18-450BZC

Cypress Semiconductor Corp

IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA. SRAM 72MB (4Mx18) 1.8v 450MHz QDR II SRAM

553vnt. sandėlyje
CY7C1564XV18-450BZC

CY7C1564XV18-450BZC

Cypress Semiconductor Corp

IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA. SRAM 72MB (2Mx36) 1.8v 450MHz QDR II SRAM

553vnt. sandėlyje
CY7C0852V-133BBC

CY7C0852V-133BBC

Cypress Semiconductor Corp

IC SRAM 4.5M PARALLEL 172FBGA.

553vnt. sandėlyje
CY7C1562XV18-450BZXC

CY7C1562XV18-450BZXC

Cypress Semiconductor Corp

IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA. SRAM 72MB (4Mx18) 1.8v 450MHz QDR II SRAM

553vnt. sandėlyje
MT47H32M16CC-37E:B TR

MT47H32M16CC-37E:B TR

Micron Technology Inc.

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA.

11952vnt. sandėlyje
CY7C1564XV18-450BZXC

CY7C1564XV18-450BZXC

Cypress Semiconductor Corp

IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA. SRAM 72MB (2Mx36) 1.8v 450MHz QDR II SRAM

553vnt. sandėlyje
MT47H32M16CC-3:B

MT47H32M16CC-3:B

Micron Technology Inc.

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA.

11916vnt. sandėlyje
MT47H32M16CC-37E:B

MT47H32M16CC-37E:B

Micron Technology Inc.

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA.

11899vnt. sandėlyje
MT47H256M4BT-5E:A

MT47H256M4BT-5E:A

Micron Technology Inc.

IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA.

5447vnt. sandėlyje

Klasifikavimo puslapiai