Atmintis

Vaizdas PAGRINDINĖ dalis # Gamintojas Aprašymas / PDF Kiekis / RFQ

MT53D384M64D4FL-046 XT ES:E TR

Micron Technology Inc.

LPDDR4 24G 384MX64 FBGA XT QDP. DRAM LPDDR4 24G 384MX64 FBGA XT QDP

5607vnt. sandėlyje

MT29F2G01ABAGDSF-AAT:G TR

Micron Technology Inc.

IC FLASH 2G SPI SOIC. NAND Flash SLC 2G 2GX1 SOIC

45vnt. sandėlyje

MT48LC8M16A2F4-75 IT:G TR

MT48LC8M16A2F4-75 IT:G TR

Micron Technology Inc.

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA.

1167vnt. sandėlyje

MT48LC8M16A2F4-75:G TR

MT48LC8M16A2F4-75:G TR

Micron Technology Inc.

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA.

7212vnt. sandėlyje

MT48LC4M16A2B4-7E:G TR

MT48LC4M16A2B4-7E:G TR

Micron Technology Inc.

IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA.

1116vnt. sandėlyje

MT48LC4M16A2F4-7E:G TR

MT48LC4M16A2F4-7E:G TR

Micron Technology Inc.

IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA.

1097vnt. sandėlyje

MT48LC4M16A2F4-75:G TR

MT48LC4M16A2F4-75:G TR

Micron Technology Inc.

IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA.

1080vnt. sandėlyje

MT47H32M16BN-3 IT:D TR

MT47H32M16BN-3 IT:D TR

Micron Technology Inc.

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA.

1063vnt. sandėlyje

MT47H32M16BN-37E IT:D TR

MT47H32M16BN-37E IT:D TR

Micron Technology Inc.

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA.

1046vnt. sandėlyje

MT47H32M16BN-25E IT:D TR

MT47H32M16BN-25E IT:D TR

Micron Technology Inc.

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA.

7202vnt. sandėlyje

MT47H64M8B6-25E IT:D TR

MT47H64M8B6-25E IT:D TR

Micron Technology Inc.

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA.

1011vnt. sandėlyje

MT47H32M16BN-5E IT:D TR

MT47H32M16BN-5E IT:D TR

Micron Technology Inc.

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA.

994vnt. sandėlyje

MT47H64M8B6-37E IT:D TR

MT47H64M8B6-37E IT:D TR

Micron Technology Inc.

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA.

959vnt. sandėlyje

MT47H64M8B6-5E IT:D TR

MT47H64M8B6-5E IT:D TR

Micron Technology Inc.

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA.

941vnt. sandėlyje

MT47H64M8B6-3 IT:D TR

MT47H64M8B6-3 IT:D TR

Micron Technology Inc.

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA.

924vnt. sandėlyje

MT47H128M4B6-25:D TR

MT47H128M4B6-25:D TR

Micron Technology Inc.

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA.

907vnt. sandėlyje

MT47H32M16BN-25:D TR

MT47H32M16BN-25:D TR

Micron Technology Inc.

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA.

890vnt. sandėlyje

MT47H64M8B6-25:D TR

MT47H64M8B6-25:D TR

Micron Technology Inc.

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA.

873vnt. sandėlyje

MT47H128M4B6-25E:D TR

MT47H128M4B6-25E:D TR

Micron Technology Inc.

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA.

854vnt. sandėlyje

MT47H32M16BN-25E:D TR

MT47H32M16BN-25E:D TR

Micron Technology Inc.

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA.

837vnt. sandėlyje