Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Namai
  2. Produktai
  3. Integrinės grandinės (IC)
  4. Atmintis

Atmintis

Vaizdas PAGRINDINĖ dalis # Gamintojas Aprašymas / PDF Kiekis / RFQ

MT49H64M9FM-25:B TR

Micron Technology Inc.

IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA.

1253vnt. sandėlyje

MT49H64M9FM-25:B

Micron Technology Inc.

IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA.

1236vnt. sandėlyje

MT49H32M9FM-33:B

Micron Technology Inc.

IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA.

1221vnt. sandėlyje

MT49H32M9FM-25:B

Micron Technology Inc.

IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA.

1204vnt. sandėlyje

MT49H32M18FM-25E:B TR

Micron Technology Inc.

IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA.

1187vnt. sandėlyje

MT49H32M18FM-33:B

Micron Technology Inc.

IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA.

1170vnt. sandėlyje

MT49H32M18FM-33:B TR

Micron Technology Inc.

IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA.

1153vnt. sandėlyje
MT49H32M18CSJ-25E:B TR

MT49H32M18CSJ-25E:B TR

Micron Technology Inc.

IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA.

1136vnt. sandėlyje

MT49H32M18FM-25:B TR

Micron Technology Inc.

IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA.

1118vnt. sandėlyje
MT49H32M18CSJ-25E:B

MT49H32M18CSJ-25E:B

Micron Technology Inc.

IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA.

1103vnt. sandėlyje
MT49H32M18CSJ-25E IT:B TR

MT49H32M18CSJ-25E IT:B TR

Micron Technology Inc.

IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA.

1086vnt. sandėlyje
MT49H32M18CSJ-25E IT:B

MT49H32M18CSJ-25E IT:B

Micron Technology Inc.

IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA.

1069vnt. sandėlyje

MT49H32M18CFM-25E:B

Micron Technology Inc.

IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA.

11465vnt. sandėlyje

MT49H32M18CFM-25E:B TR

Micron Technology Inc.

IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA.

1035vnt. sandėlyje

MT49H32M18CFM-25:B TR

Micron Technology Inc.

IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA.

1018vnt. sandėlyje

MT49H32M18CFM-18:B TR

Micron Technology Inc.

IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA.

1002vnt. sandėlyje

MT49H32M18CFM-25:B

Micron Technology Inc.

IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA.

11457vnt. sandėlyje

MT49H32M18CBM-25 IT:B TR

Micron Technology Inc.

IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA.

968vnt. sandėlyje

MT49H32M18CBM-25 IT:B

Micron Technology Inc.

IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA.

11455vnt. sandėlyje

MT49H32M18CFM-18:B

Micron Technology Inc.

IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA.

934vnt. sandėlyje

Klasifikavimo puslapiai