| Vaizdas | PAGRINDINĖ dalis # Gamintojas | Aprašymas / PDF | Kiekis / RFQ |
|---|---|---|---|
 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 65V 2.62GHZ NI780S-4. |
9007vnt. sandėlyje |
 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 65V 2.9GHZ NI1230. |
6580vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 65V 2.62GHZ NI780S-4. |
9005vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 65V 2.17GHZ NI780S-4. |
9005vnt. sandėlyje |
 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 65V 2.17GHZ NI780-4. |
9005vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 65V 2.17GHZ NI780-4. |
9005vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 65V 2.17GHZ NI780S-4. |
9004vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 65V 2.17GHZ NI780-4. |
6580vnt. sandėlyje |
 |
NXP USA Inc. |
FET RF 120V 1.3GHZ NI780S. |
9004vnt. sandėlyje |
 |
NXP USA Inc. |
FET RF 120V 1.3GHZ NI780. |
9004vnt. sandėlyje |
 |
NXP USA Inc. |
TRANSISTOR CDFM6. |
9002vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 130V 860MHZ NI1230H. |
9002vnt. sandėlyje |
 |
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 130V 860MHZ NI1230S. |
9002vnt. sandėlyje |
 |
NXP USA Inc. |
TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT1112B. |
9002vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT1112B. |
6580vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
FET RF LDMOS 28V 690MA SOT896B. |
9001vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230-8. |
9001vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230S-8. |
9001vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 65V 1.92GHZ NI-780S. |
9001vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230-8. |
8999vnt. sandėlyje |
Klasifikavimo puslapiai
- Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF - Puslapis16
- Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF - Puslapis17
- Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF - Puslapis18
- Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF - Puslapis19
- Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF - Puslapis20
- Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF - Puslapis21
- Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF - Puslapis22
- Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF - Puslapis23
- Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF - Puslapis24
- Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF - Puslapis25
success