| Vaizdas | PAGRINDINĖ dalis # Gamintojas | Aprašymas / PDF | Kiekis / RFQ |
|---|---|---|---|
 |
NXP USA Inc. |
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR. |
627vnt. sandėlyje |
 |
NXP USA Inc. |
1.8GHZ 360W ACP1230S-4L2. |
984vnt. sandėlyje |
 |
NXP USA Inc. |
FET RF 100V 1.09GHZ PLD-1.5. |
1472vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO. |
775vnt. sandėlyje |
 |
NXP USA Inc. |
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO. |
8994vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO. |
781vnt. sandėlyje |
 |
NXP USA Inc. |
IC TRANS RF LDMOS. |
268vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5. |
11800vnt. sandėlyje |
 |
NXP USA Inc. |
RF POWER TRANSISTORS. |
69vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
FET RF 125V 2.5GHZ NI360. |
268vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
IC TRANS RF LDMOS. |
810vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
IC TRANS RF LDMOS 2450MHZ. |
9468vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
RF MOSFET LDMOS 48V NI-780S-4L. |
629vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
FET RF NCH 65V 2700MHZ PLD1.5W. |
9458vnt. sandėlyje |
 |
NXP USA Inc. |
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR. |
813vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
FET RF 100V 1.09GHZ PLD-1.5. |
1692vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO. |
965vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO. |
798vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO. |
1608vnt. sandėlyje |
|
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 2.17GHZ PLD1.5W. |
10019vnt. sandėlyje |
Klasifikavimo puslapiai
- Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF - Puslapis1
- Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF - Puslapis2
- Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF - Puslapis3
- Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF - Puslapis4
- Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF - Puslapis5
- Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF - Puslapis6
- Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF - Puslapis7
- Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF - Puslapis8
- Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF - Puslapis9
- Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF - Puslapis10
success