Microsemi Corporation - JANTXV1N6623U

KEY Part #: K6442400

[3146vnt. sandėlyje]


    Dalies numeris:
    JANTXV1N6623U
    Gamintojas:
    Microsemi Corporation
    Išsamus aprašymas:
    DIODE GEN PURP 800V 1A A-MELF.
    Manufacturer's standard lead time:
    Prekyboje
    Tinkamumo laikas:
    Vieneri metai
    Čipas nuo:
    Honkongas
    RoHS:
    Mokėjimo būdas:
    Siuntos būdas:
    Šeimos kategorijos:
    PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - specialios paskirties, Tiristoriai - TRIAC, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks, Diodai - tiltiniai lygintuvai, Tiristoriai - SCR - moduliai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš and Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai) ...
    Konkurencinis pranašumas:
    We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N6623U electronic components. JANTXV1N6623U can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N6623U, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    JANTXV1N6623U Produkto atributai

    Dalies numeris : JANTXV1N6623U
    Gamintojas : Microsemi Corporation
    apibūdinimas : DIODE GEN PURP 800V 1A A-MELF
    Serija : Military, MIL-PRF-19500/585
    Dalies būsena : Active
    Diodo tipas : Standard
    Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 800V
    Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 1A
    Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 1.55V @ 1A
    Greitis : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Atbulinės eigos laikas (trr) : 50ns
    Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 500nA @ 800V
    Talpa @ Vr, F : -
    Montavimo tipas : Surface Mount
    Pakuotė / Byla : SQ-MELF, A
    Tiekėjo įrenginio paketas : D-5A
    Darbinė temperatūra - sankryža : -65°C ~ 150°C

    Galbūt jus taip pat domina
    • RJU6052SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 600V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/10A/25ns Trr/TO-252

    • RJU4352SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 430V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 430V/20A/23ns Trr/TO-252

    • RJU3052SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 360V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 360V/20A/40ns Trr/TO-252

    • UD0506T-TL-H

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 5A 600V LOW VF

    • RD0306T-TL-H

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 3A TPFA.

    • STPS20M100SFP

      STMicroelectronics

      DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO220FP.