BAS16WF Kainodara (USD) [3962772vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$0.00933
- 10,000 pcs$0.00905
- Dalies numeris:
- BAS16WF
- Gamintojas:
- Nexperia USA Inc.
- Išsamus aprašymas:
- DIODE GEN PURP 100V 175MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching High-speed switching diodes
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - specialios paskirties, Diodai - Zener - masyvai, Diodai - „Zener“ - vienviečiai, Galios tvarkyklės moduliai, Tranzistoriai - JFET, Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Diodai - tiltiniai lygintuvai and Diodai - RF ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Nexperia USA Inc. BAS16WF electronic components. BAS16WF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS16WF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAS16WF Produkto atributai
Dalies numeris :
BAS16WF
Gamintojas :
Nexperia USA Inc.
apibūdinimas :
DIODE GEN PURP 100V 175MA SOT323
Serija :
Automotive, AEC-Q101, BAS16
Dalies būsena :
Active
Diodo tipas :
Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
100V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
175mA (DC)
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
1.25V @ 150mA
Greitis :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Atbulinės eigos laikas (trr) :
4ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
500nA @ 80V
Talpa @ Vr, F :
1.5pF @ 0V, 1MHz
Montavimo tipas :
Surface Mount
Pakuotė / Byla :
SC-70, SOT-323
Tiekėjo įrenginio paketas :
SC-70
Darbinė temperatūra - sankryža :
150°C (Max)
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Karštos dalys
- MBRB10H50HE3/45
- MBRB16H35-E3/81
- GP10KE-M3/73
- 1N4005-N-0-2-BP
- 1N4003 BK
- IRD3CH31DB6
- SS310HE-TP
- CLL914 BK
- JANTX1N6761UR-1
- GP10-4003E-M3/54
- EGP10F-M3/54
- VS-30WQ06FNTRLPBF
- UH1B-E3/61T
- MBRF7H60HE3/45
- RGP15DHE3/54
- RB420D-TP
- VS-90SQ045TR
- DGP20HE3/54
- 1N5622GP-E3/73
- U1GWJ49(TE12L,F)
- STTH3R04
- 2A02-T
- STTH10R04G
- FFPF04U150STU
- VS-20L15TPBF
- MBR2515L
- MBR845RL
- B280-13
- 60CPF10
- 40EPS08
- MA3X72100L
- MA2J11600L
- DL4001
- IDD15E60BUMA1
- 2A01-TP
- IDW30E60AFKSA1
- RGP02-14E-E3/73
- HS5M M6G
- GL41DHE3/97
- SE15PD-M3/85A