Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Namai
  2. Produktai
  3. Diskretiniai puslaidininkių produktai
  4. Diodai - lygintuvai - viengubi
  5. GC10MPS12-220

GeneSiC Semiconductor - GC10MPS12-220

KEY Part #: K6433306

GC10MPS12-220 Kainodara (USD) [7838vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$5.25755
Dalies numeris:
GC10MPS12-220
Gamintojas:
GeneSiC Semiconductor
Išsamus aprašymas:
SIC DIODE 1200V 10A TO-220-2.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas, Diodai - „Zener“ - vienviečiai, Tranzistoriai - JFET, Diodai - lygintuvai - masyvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF, Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai, Tiristoriai - TRIAC and Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in GeneSiC Semiconductor GC10MPS12-220 electronic components. GC10MPS12-220 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GC10MPS12-220, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GC10MPS12-220 Produkto atributai

Dalies numeris : GC10MPS12-220
Gamintojas : GeneSiC Semiconductor
apibūdinimas : SIC DIODE 1200V 10A TO-220-2
Serija : -
Dalies būsena : Active
Diodo tipas : Silicon Carbide Schottky
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 1200V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 54A (DC)
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 1.8V @ 10A
Greitis : No Recovery Time > 500mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) : 0ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 10µA @ 1200V
Talpa @ Vr, F : 660pF @ 1V, 1MHz
Montavimo tipas : Through Hole
Pakuotė / Byla : TO-220-2
Tiekėjo įrenginio paketas : TO-220-2
Darbinė temperatūra - sankryža : -55°C ~ 175°C
Galbūt jus taip pat domina
  • MMBD914-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100V

  • BAS19WT-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 100V

  • SS2FL4HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO-219AB. Schottky Diodes & Rectifiers If(AV) 2A Vrrm 40V AEC-Q101 Qualified

  • V2FM10-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    2A100VSMFTRENCH SKY RECT..

  • SS2FH6HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 2A 60V Schottky Rect

  • SS2FN6HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 2A,60V,SMFSkty Rect AEC-Q101 Qualified

Karštos dalys