Infineon Technologies - 2LS20017E42W40403NOSA1

KEY Part #: K6532665

2LS20017E42W40403NOSA1 Kainodara (USD) [22vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$1548.16464

Dalies numeris:
2LS20017E42W40403NOSA1
Gamintojas:
Infineon Technologies
Išsamus aprašymas:
IGBT MODULE 1700V 20A.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš , Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Tranzistoriai - JFET, Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai), Tiristoriai - SCR, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF, Diodai - lygintuvai - viengubi and Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Infineon Technologies 2LS20017E42W40403NOSA1 electronic components. 2LS20017E42W40403NOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2LS20017E42W40403NOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

2LS20017E42W40403NOSA1 Produkto atributai

Dalies numeris : 2LS20017E42W40403NOSA1
Gamintojas : Infineon Technologies
apibūdinimas : IGBT MODULE 1700V 20A
Serija : *
Dalies būsena : Not For New Designs
IGBT tipas : -
Konfigūracija : -
Įtampa - kolektoriaus skleidėjo suskirstymas (maks.) : -
Dabartinis - kolektorius (Ic) (maks.) : -
Galia - maks : -
Vce (įjungta) (maks.) @ Vge, Ic : -
Dabartinė - Kolekcionieriaus atjungimas (maks.) : -
Įvesties talpa (Cies) @ Vce : -
Įvestis : -
NTC termistorius : -
Darbinė temperatūra : -
Montavimo tipas : -
Pakuotė / Byla : -
Tiekėjo įrenginio paketas : -

Galbūt jus taip pat domina
  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • A2C25S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.