Microsemi Corporation - JANS1N4099-1

KEY Part #: K6479699

Šeimos kategorijos:: PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Diodai - lygintuvai - masyvai, Galios tvarkyklės moduliai, Tiristoriai - SCR, Tranzistoriai - JFET, Diodai - RF, Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai), Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas and Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai ...

Konkurencinis pranašumas:: We specialize in Microsemi Corporation JANS1N4099-1 electronic components. JANS1N4099-1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANS1N4099-1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Dalies numeris : JANS1N4099-1

Gamintojas : Microsemi Corporation

apibūdinimas : DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35

Serija : Military, MIL-PRF-19500/435

Dalies būsena : Active

Įtampa - „Zener“ (nominali) (Vz) : 6.8V

Tolerancija : ±5%

Galia - maks : 500mW

Varža (maksimali) (Zzt) : 200 Ohms

Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 1µA @ 5.2V

Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 1.1V @ 200mA

Darbinė temperatūra : -65°C ~ 175°C

Montavimo tipas : Through Hole

Pakuotė / Byla : DO-204AH, DO-35, Axial

Tiekėjo įrenginio paketas : DO-35

Galbūt jus taip pat domina

BAR43C

ON Semiconductor

DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23-3.
BAW156E6327HTSA1

Infineon Technologies

DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
MMBD1705A

ON Semiconductor

DIODE ARRAY GP 30V 50MA SOT23-3.
SMBD7000E6327HTSA1

Infineon Technologies

DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 100V 0.2A
1SS181,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR
BAV170E6433HTMA1

Infineon Technologies

DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode Array

Karštos dalys