RMPG06KHE3_A/54 Kainodara (USD) [962649vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$0.04055
- 16,500 pcs$0.04034
- Dalies numeris:
- RMPG06KHE3_A/54
- Gamintojas:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Išsamus aprašymas:
- DIODE GEN PURP 800V 1A MPG06. Rectifiers 1A, 800V, 200NS, FS, MINIGPPRECT.
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Diodai - lygintuvai - masyvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš , Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai, Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas, Tranzistoriai - JFET, Diodai - „Zener“ - vienviečiai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai and Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division RMPG06KHE3_A/54 electronic components. RMPG06KHE3_A/54 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RMPG06KHE3_A/54, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RMPG06KHE3_A/54 Produkto atributai
Dalies numeris :
RMPG06KHE3_A/54
Gamintojas :
Vishay Semiconductor Diodes Division
apibūdinimas :
DIODE GEN PURP 800V 1A MPG06
Serija :
-
Dalies būsena :
Active
Diodo tipas :
Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
800V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
1A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
1.3V @ 1A
Greitis :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) :
250ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
5µA @ 800V
Talpa @ Vr, F :
6.6pF @ 4V, 1MHz
Montavimo tipas :
Through Hole
Pakuotė / Byla :
MPG06, Axial
Tiekėjo įrenginio paketas :
MPG06
Darbinė temperatūra - sankryža :
-55°C ~ 150°C
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
VS-60APF04-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 60A TO247AC. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - TO-247-e3
-
-
BAV20 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, -V 0.2A Swtch Diode/Array
-
BAV19 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, -V 0.2A Swtch Diode/Array
-
-
Karštos dalys
- CN646 BK
- IRD3CH53DB6
- VS-20MQ100NPBF
- 1N4002GPEHE3/91
- RS1PBHM3/85A
- VS-30WQ03FNPBF
- SK36/TR13
- CD214A-B130LLF
- VS-50WQ06FNPBF
- CDBA320L-G
- VS-80EPF12PBF
- 1N4551A
- C2D05120E
- RB520S-30FTE61
- MBRB735-E3/45
- VS-20ETF04STRRPBF
- 1N1616A
- APT15D30KG
- SDP06S60
- RGP20JHE3/73
- R6100625XXYZ
- R6100230XXYZ
- UG1002-T
- STTH5R06G
- MURA240T3
- VS-31DQ05TR
- NUR460/L02,112
- MUR1510H
- CTLSH1-50M832DS BK
- SF34-TP
- RL251M-TP
- R5000-TP
- FR1007-AP
- STPS30170DJF-TR
- ESH3C-E3/9AT
- RB053L-30TE25
- RU 1CV
- ES3B-E3/9AT
- IMBD4148-HE3-08
- LS4154GS18