Dalies numeris :
TPH3208PD
apibūdinimas :
GANFET N-CH 650V 20A TO220
Technologija :
GaNFET (Gallium Nitride)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) :
650V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C :
20A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) :
10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG :
130 mOhm @ 13A, 8V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID :
2.6V @ 300µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs :
14nC @ 8V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds :
760pF @ 400V
Galios išsklaidymas (maks.) :
96W (Tc)
Darbinė temperatūra :
-55°C ~ 150°C
Montavimo tipas :
Through Hole
Tiekėjo įrenginio paketas :
TO-220AB
Pakuotė / Byla :
TO-220-3