SFS1008G MNG Kainodara (USD) [280423vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$0.13190
- Dalies numeris:
- SFS1008G MNG
- Gamintojas:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Išsamus aprašymas:
- DIODE GEN PURP 600V 10A TO263AB.
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, Tiristoriai - DIAC, SIDAC, Tranzistoriai - IGBT - moduliai, Diodai - RF, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks, Diodai - „Zener“ - vienviečiai, Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai and Diodai - Zener - masyvai ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation SFS1008G MNG electronic components. SFS1008G MNG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SFS1008G MNG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SFS1008G MNG Produkto atributai
Dalies numeris :
SFS1008G MNG
Gamintojas :
Taiwan Semiconductor Corporation
apibūdinimas :
DIODE GEN PURP 600V 10A TO263AB
Serija :
-
Dalies būsena :
Active
Diodo tipas :
Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
600V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
10A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
1.7V @ 5A
Greitis :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) :
35ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
1µA @ 600V
Talpa @ Vr, F :
50pF @ 4V, 1MHz
Montavimo tipas :
Surface Mount
Pakuotė / Byla :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tiekėjo įrenginio paketas :
TO-263AB (D²PAK)
Darbinė temperatūra - sankryža :
-55°C ~ 150°C
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
CDSV-20-G
Comchip Technology
DIODE GEN PURP 150V 200MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching 150V 200mA 200mW
-
CDBV140-G
Comchip Technology
DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD323. Schottky Diodes & Rectifiers VR=40V IO=1A
-
SE30PAJ-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3A, 600V, ESD PROTECTION, SMPA
-
VS-2EJH01-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 2A DO221AC. Rectifiers Hyperfst 2A 100V Fred Pt Rectfr
-
VS-2EJH01-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 2A DO221AC. Rectifiers Hyperfst 2A 100V Fred Pt Rectfr
-
VS-3EJH02HM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 3A DO221AC. Rectifiers Hyperfst 3A 200V Fred Pt Rfr AEC-Q101
Karštos dalys
- SBYV26C-5001M3/73
- EGP10DHM3/73
- CD0805-B140
- RC 2V1
- 1N648-1
- S42100F
- DSA26G
- CDBMT280-HF
- STPS20SM100SG-TR
- IDT04S60CHKSA1
- R5110410XXWA
- QRS1220T30
- R36100
- GUR460-E3/54
- 1N4948GP/54
- 1N4005GPHE3/54
- FGP50CHE3/73
- FGP10BHE3/73
- IDD09SG60CXTMA1
- S3580
- PR1001L-T
- VS-12TQ035STRRPBF
- BYT03-400RL
- 1N3070
- 1N4005GP
- DL4004-TP
- RS1G/1
- RS2GA-13
- 8EWF12STR
- VSKE320-20
- S25120
- IRD3909
- DL4935-13
- SR102-T
- SF12-AP
- FES16CT-E3/45
- ESH1PDHM3/84A
- RB060MM-40TR
- GL41GHE3/97
- RF081M2STR