Dalies numeris :
IRFBE30LPBF
Gamintojas :
Vishay Siliconix
apibūdinimas :
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262
Technologija :
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) :
800V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C :
4.1A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) :
10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG :
3 Ohm @ 2.5A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID :
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs :
78nC @ 10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds :
1300pF @ 25V
Galios išsklaidymas (maks.) :
125W (Tc)
Darbinė temperatūra :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas :
Through Hole
Tiekėjo įrenginio paketas :
I2PAK
Pakuotė / Byla :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA