Dalies numeris :
SPD08N50C3BTMA1
Gamintojas :
Infineon Technologies
apibūdinimas :
MOSFET N-CH 560V 7.6A DPAK
Technologija :
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) :
560V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C :
7.6A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) :
10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG :
600 mOhm @ 4.6A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID :
3.9V @ 350µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs :
32nC @ 10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds :
750pF @ 25V
Galios išsklaidymas (maks.) :
83W (Tc)
Darbinė temperatūra :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas :
Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas :
PG-TO252-3
Pakuotė / Byla :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63