Taiwan Semiconductor Corporation - S3JHM6G

KEY Part #: K6439769

S3JHM6G Kainodara (USD) [945711vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.03911

Dalies numeris:
S3JHM6G
Gamintojas:
Taiwan Semiconductor Corporation
Išsamus aprašymas:
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tiristoriai - SCR, Tranzistoriai - IGBT - masyvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, Tiristoriai - DIAC, SIDAC, Galios tvarkyklės moduliai, Tranzistoriai - IGBT - moduliai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai and Diodai - Zener - masyvai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation S3JHM6G electronic components. S3JHM6G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S3JHM6G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S3JHM6G Produkto atributai

Dalies numeris : S3JHM6G
Gamintojas : Taiwan Semiconductor Corporation
apibūdinimas : DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
Serija : Automotive, AEC-Q101
Dalies būsena : Active
Diodo tipas : Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 600V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 3A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 1.15V @ 3A
Greitis : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) : 1.5µs
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 5µA @ 600V
Talpa @ Vr, F : 30pF @ 4V, 1MHz
Montavimo tipas : Surface Mount
Pakuotė / Byla : DO-214AB, SMC
Tiekėjo įrenginio paketas : DO-214AB (SMC)
Darbinė temperatūra - sankryža : -55°C ~ 150°C

Galbūt jus taip pat domina
  • VS-6EWL06FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO252AA. Rectifiers 6A 600V 59ns Ultrafast

  • BAV20W-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200V 625mA 1A IFSM

  • 1N4148W-HE3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 500mA 4ns

  • SD103AW-HE3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 350MA 40V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 40Volt 15A IFSM AUTO

  • SD101AW-G3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 400MW 60V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30mA 60Volt 2A IFSM

  • BYG22B-M3/TR

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC. Rectifiers 2A,100V,25nS UF Fast Avalanche,SMD