Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Namai
  2. Produktai
  3. Integrinės grandinės (IC)
  4. Atmintis
  5. W979H6KBVX2E TR

Winbond Electronics - W979H6KBVX2E TR

KEY Part #: K940390

W979H6KBVX2E TR Kainodara (USD) [29615vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$2.07968
  • 3,500 pcs$2.06933
Dalies numeris:
W979H6KBVX2E TR
Gamintojas:
Winbond Electronics
Išsamus aprašymas:
IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA. DRAM 512Mb LPDDR2, x16, 400MHz T&R
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: PMIC - „Power over Ethernet“ (PoE) valdikliai, PMIC - lazeriniai vairuotojai, Duomenų rinkimas - skaitmeninis ir analoginis keit, Linijinis - analoginiai daugikliai, dalikliai, Atmintis - FPGA konfigūracijos langai, Duomenų rinkimas - skaitmeniniai potenciometrai, PMIC - įtampos nuoroda and Logika - skaitikliai, dalikliai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Winbond Electronics W979H6KBVX2E TR electronic components. W979H6KBVX2E TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for W979H6KBVX2E TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

W979H6KBVX2E TR Produkto atributai

Dalies numeris : W979H6KBVX2E TR
Gamintojas : Winbond Electronics
apibūdinimas : IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
Serija : -
Dalies būsena : Active
Atminties tipas : Volatile
Atminties formatas : DRAM
Technologija : SDRAM - Mobile LPDDR2
Atminties dydis : 512Mb (32M x 16)
Laikrodžio dažnis : 400MHz
Rašyti ciklo laiką - žodis, puslapis : 15ns
Prieigos laikas : -
Atminties sąsaja : Parallel
Įtampa - tiekimas : 1.14V ~ 1.95V
Darbinė temperatūra : -25°C ~ 85°C (TC)
Montavimo tipas : Surface Mount
Pakuotė / Byla : 134-VFBGA
Tiekėjo įrenginio paketas : 134-VFBGA (10x11.5)

Naujausios naujienos

Winbond DRAM Product Portfolio
Winbond NOR Product Portfolio
Galbūt jus taip pat domina
  • W25M02GVZEIG TR

    Winbond Electronics

    IC FLASH 2G SPI 104MHZ 8WSON.

  • W25M02GVZEIT TR

    Winbond Electronics

    IC FLASH 2G SPI 104MHZ 8WSON. Multichip Packages 2G-bit Serial NAND flash, 3V

  • FM25CL64B-DG

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FRAM 64K SPI 20MHZ 8TDFN. F-RAM 64Kb Serial SPI 3V FRAM

  • BR24G1M-3A

    Rohm Semiconductor

    IC EEPROM 1M I2C 1MHZ 8-DIP-T.

  • AT28HC64B-12SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 64K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 120NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • 6116LA25SOG

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC. SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM

Karštos dalys