Dalies numeris :
BYM11-50HE3/97
Gamintojas :
Vishay Semiconductor Diodes Division
apibūdinimas :
DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
50V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
1A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
1.3V @ 1A
Greitis :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) :
150ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
5µA @ 50V
Talpa @ Vr, F :
15pF @ 4V, 1MHz
Montavimo tipas :
Surface Mount
Pakuotė / Byla :
DO-213AB, MELF (Glass)
Tiekėjo įrenginio paketas :
DO-213AB
Darbinė temperatūra - sankryža :
-65°C ~ 175°C