Dalies numeris :
1N483B_T50R
Gamintojas :
ON Semiconductor
apibūdinimas :
DIODE GEN PURP 80V 200MA DO35
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
80V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
200mA
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
1V @ 100mA
Greitis :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Atbulinės eigos laikas (trr) :
-
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
25nA @ 60V
Montavimo tipas :
Through Hole
Pakuotė / Byla :
DO-204AH, DO-35, Axial
Tiekėjo įrenginio paketas :
DO-35
Darbinė temperatūra - sankryža :
175°C (Max)