Vishay Siliconix - IRFD224

KEY Part #: K6392865

IRFD224 Kainodara (USD) [90300vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.43517
  • 500 pcs$0.43301

Dalies numeris:
IRFD224
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Išsamus aprašymas:
MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF, Tranzistoriai - JFET, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš , Tranzistoriai - IGBT - masyvai, Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas, Tranzistoriai - specialios paskirties and Diodai - lygintuvai - viengubi ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Vishay Siliconix IRFD224 electronic components. IRFD224 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFD224, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFD224 Produkto atributai

Dalies numeris : IRFD224
Gamintojas : Vishay Siliconix
apibūdinimas : MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP
Serija : -
Dalies būsena : Active
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 250V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 630mA (Ta)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 1.1 Ohm @ 380mA, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 14nC @ 10V
VG (maks.) : ±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 260pF @ 25V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 1W (Ta)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas : Through Hole
Tiekėjo įrenginio paketas : 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Pakuotė / Byla : 4-DIP (0.300", 7.62mm)

Galbūt jus taip pat domina