[1914vnt. sandėlyje]
- Dalies numeris:
- MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E TR
- Gamintojas:
- Micron Technology Inc.
- Išsamus aprašymas:
- IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA. DRAM LPDDR4 32G 512MX64 FBGA QDP
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Linijiniai - stiprintuvai - vaizdo stiprintuvai ir, PMIC - energijos paskirstymo jungikliai, kroviklia, Įterptasis - PLD (programuojamas loginis įrenginys, Logika - vartai ir keitikliai, Sąsaja - jutiklio ir detektoriaus sąsajos, Duomenų rinkimas - skaitmeniniai potenciometrai, Įterptosios - FPGA (programuojamas lauko masyvas) and Logika - skląsčiai ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Micron Technology Inc. MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E TR electronic components. MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E TR Produkto atributai
Dalies numeris :
MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E TR
Gamintojas :
Micron Technology Inc.
apibūdinimas :
IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA
Serija :
-
Dalies būsena :
Active
Atminties tipas :
Volatile
Atminties formatas :
DRAM
Technologija :
SDRAM - Mobile LPDDR4
Atminties dydis :
32Gb (512M x 64)
Laikrodžio dažnis :
2133MHz
Rašyti ciklo laiką - žodis, puslapis :
-
Prieigos laikas :
-
Atminties sąsaja :
-
Įtampa - tiekimas :
1.1V
Darbinė temperatūra :
-30°C ~ 105°C (TC)
Montavimo tipas :
-
Pakuotė / Byla :
-
Tiekėjo įrenginio paketas :
-
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
7130LA25TFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP. SRAM 1K x 8 Dual Port High Speed RAM
-
IS61NVF51236-6.5TQL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP. SRAM 18Mb (512Kx36) 6.5ns Sync SRAM 2.5v
-
IS61NVF51236-6.5TQL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP. SRAM 18Mb (512Kx36) 6.5ns Sync SRAM 2.5v
-
-
IS46LR32160B-6BLA2-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 512M (16Mx32) Mobile DDR 1.8v
-
Karštos dalys
- MT47H64M8B6-25E:D TR
- MT48LC4M16A2P-6 IT:G TR
- MT45W2MW16BAFB-708 WT
- MT46V32M8BG-6 IT:G TR
- AT49BV160C-70CI
- AT93C56A-10SU-2.7
- AT27C256R-15PI
- AT29LV010A-15TI
- AT24C256-10PC-2.7
- AT24C04C-XPD-T
- 25LC640AT-H/ST16KVAO
- 25LC160D-E/SN16KVAO
- MT53B512M64D4NZ-062 WT:D TR
- 93AA76C/S15K
- STK10C68-5C45M
- DS1220Y-100+
- MT29F128G08CBEABH6-12:A TR
- 25LC128-E/SN16KVAO
- IS45S16100E-7BLA1-TR
- IS42VM16160E-75BLI
- M58LT128KSB7ZA6F TR
- MT29F2G08ABAFAH4-S:F
- S71KL512SC0BHV000
- CY7C1414TV18-200BZXC
- ATAES132-SH-ER-T
- IDT71V2558S133PF
- PC28F512P33EF0
- IDT71T75702S80PFI
- 7024L20J
- 7007L35PF8
- CY7C1563V18-375BZC
- IS45S32200E-6TLA1
- MT29F4G16ABADAH4:D
- IS61QDB42M18-250M3
- IS42S32400D-6T
- MX29GL128EHXFI-90G
- S29GL128P11DGI017
- S25FL132K0XMFI010
- BR25L040FJ-WE2
- BR24C04-10TU-2.7