Vishay Siliconix - SIHH11N65EF-T1-GE3

KEY Part #: K6417747

SIHH11N65EF-T1-GE3 Kainodara (USD) [40279vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.97559
  • 3,000 pcs$0.97074

Dalies numeris:
SIHH11N65EF-T1-GE3
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Išsamus aprašymas:
MOSFET N-CHAN 600V 24A POWERPAK.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - specialios paskirties, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks, Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai), Tranzistoriai - IGBT - moduliai and Diodai - tiltiniai lygintuvai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Vishay Siliconix SIHH11N65EF-T1-GE3 electronic components. SIHH11N65EF-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHH11N65EF-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHH11N65EF-T1-GE3 Produkto atributai

Dalies numeris : SIHH11N65EF-T1-GE3
Gamintojas : Vishay Siliconix
apibūdinimas : MOSFET N-CHAN 600V 24A POWERPAK
Serija : -
Dalies būsena : Active
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 650V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 11A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 382 mOhm @ 6A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 70nC @ 10V
VG (maks.) : ±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 1243pF @ 100V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 130W (Tc)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas : Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas : PowerPAK® 8 x 8
Pakuotė / Byla : 8-PowerTDFN

Galbūt jus taip pat domina