Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Namai
  2. Produktai
  3. Integrinės grandinės (IC)
  4. Atmintis
  5. TC58BVG0S3HBAI4

Toshiba Memory America, Inc. - TC58BVG0S3HBAI4

KEY Part #: K940897

TC58BVG0S3HBAI4 Kainodara (USD) [32493vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.96999
  • 10 pcs$0.87341
  • 25 pcs$0.85961
Dalies numeris:
TC58BVG0S3HBAI4
Gamintojas:
Toshiba Memory America, Inc.
Išsamus aprašymas:
IC FLASH 1G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: PMIC - maitinimo šaltiniai, monitoriai, Įterptiniai - mikroprocesoriai, Duomenų rinkimas - ADC / DAC - specialios paskirti, Logika - pariteto generatoriai ir šaškės, Laikrodis / laikas - realaus laiko laikrodžiai, PMIC - kintamosios srovės nuolatinės srovės keitik, Sąsaja - kodavimo įrenginiai, dekoderiai, keitikli and Sąsaja - filtrai - aktyvi ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TC58BVG0S3HBAI4 electronic components. TC58BVG0S3HBAI4 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TC58BVG0S3HBAI4, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TC58BVG0S3HBAI4 Produkto atributai

Dalies numeris : TC58BVG0S3HBAI4
Gamintojas : Toshiba Memory America, Inc.
apibūdinimas : IC FLASH 1G PARALLEL 63TFBGA
Serija : Benand™
Dalies būsena : Active
Atminties tipas : Non-Volatile
Atminties formatas : FLASH
Technologija : FLASH - NAND (SLC)
Atminties dydis : 1Gb (128M x 8)
Laikrodžio dažnis : -
Rašyti ciklo laiką - žodis, puslapis : 25ns
Prieigos laikas : 25ns
Atminties sąsaja : Parallel
Įtampa - tiekimas : 2.7V ~ 3.6V
Darbinė temperatūra : -40°C ~ 85°C (TA)
Montavimo tipas : Surface Mount
Pakuotė / Byla : 63-VFBGA
Tiekėjo įrenginio paketas : 63-TFBGA (9x11)

Naujausios naujienos

Toshiba Memory FlashAir™ W-04 Wireless SD Cards
Toshiba Memory THGAF Managed NAND Flash Memories
Toshiba Memory THGAM e-MMC™ NAND Flash Memory
Galbūt jus taip pat domina
  • NDS73PT9-16IT

    Insignis Technology Corporation

    IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 86TSOP.

  • IS25LQ032B-JKLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON. NOR Flash 32Mb QSPI, WSON, RoHS

  • FM24CL64B-DGTR

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FRAM 64K I2C 1MHZ 8TDFN. F-RAM IIC FRAM 64K 3V

  • 25LC1024-E/P

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8DIP. EEPROM 128K x 8 - 2.5-5.5V

  • CY62256NLL-70PXC

    Alliance Memory, Inc.

    256M SRAM 28 DIP. SRAM 256K 32K x 8 4.5-5.5V 28pin 600mil DIP Commercial (0 70 C) Low Power Asynch

  • AS6C62256A-70SCN

    Alliance Memory, Inc.

    IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP. SRAM 256K, 4.5-5.5V, 70ns 32K x 8 Asynch SRAM

Karštos dalys