ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43DR16320D-25DBI-TR

KEY Part #: K936914

IS43DR16320D-25DBI-TR Kainodara (USD) [15374vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$3.32344
  • 2,500 pcs$3.30690

Dalies numeris:
IS43DR16320D-25DBI-TR
Gamintojas:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Išsamus aprašymas:
IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA. DRAM 512M, 1.8V, 400Mhz 32M x 16 DDR2
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: PMIC - įtampos reguliatoriai - linijiniai reguliat, Linijiniai - Stiprintuvai - Garsas, Įterptasis - DSP (skaitmeninių signalų procesoriai, Linijiniai - stiprintuvai - instrumentai, OP stipr, PMIC - RMS į DC keitiklius, PMIC - galios valdymas - specializuotas, Logika - vartai ir keitikliai and Atmintis ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320D-25DBI-TR electronic components. IS43DR16320D-25DBI-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43DR16320D-25DBI-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43DR16320D-25DBI-TR Produkto atributai

Dalies numeris : IS43DR16320D-25DBI-TR
Gamintojas : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
apibūdinimas : IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA
Serija : -
Dalies būsena : Active
Atminties tipas : Volatile
Atminties formatas : DRAM
Technologija : SDRAM - DDR2
Atminties dydis : 512Mb (32M x 16)
Laikrodžio dažnis : 400MHz
Rašyti ciklo laiką - žodis, puslapis : 15ns
Prieigos laikas : 400ps
Atminties sąsaja : Parallel
Įtampa - tiekimas : 1.7V ~ 1.9V
Darbinė temperatūra : -40°C ~ 85°C (TA)
Montavimo tipas : Surface Mount
Pakuotė / Byla : 84-TFBGA
Tiekėjo įrenginio paketas : 84-TWBGA (8x12.5)

Naujausios naujienos

Galbūt jus taip pat domina
  • 71V30S55TFG8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP. SRAM 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM

  • AT28C256E-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP- 150NS IND TEMP

  • AT28HC256E-12SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 120NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • 71V25761S183PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W29N04GZBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x8

  • W29N04GWBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x16