ON Semiconductor - FQA11N90

KEY Part #: K6410207

[17vnt. sandėlyje]


    Dalies numeris:
    FQA11N90
    Gamintojas:
    ON Semiconductor
    Išsamus aprašymas:
    MOSFET N-CH 900V 11.4A TO-3P.
    Manufacturer's standard lead time:
    Prekyboje
    Tinkamumo laikas:
    Vieneri metai
    Čipas nuo:
    Honkongas
    RoHS:
    Mokėjimo būdas:
    Siuntos būdas:
    Šeimos kategorijos:
    PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks, Diodai - lygintuvai - masyvai, Tiristoriai - TRIAC, Tranzistoriai - IGBT - moduliai, Tiristoriai - SCR, Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas, Tiristoriai - DIAC, SIDAC and Diodai - „Zener“ - vienviečiai ...
    Konkurencinis pranašumas:
    We specialize in ON Semiconductor FQA11N90 electronic components. FQA11N90 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQA11N90, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FQA11N90 Produkto atributai

    Dalies numeris : FQA11N90
    Gamintojas : ON Semiconductor
    apibūdinimas : MOSFET N-CH 900V 11.4A TO-3P
    Serija : QFET®
    Dalies būsena : Obsolete
    FET tipas : N-Channel
    Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
    Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 900V
    Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 11.4A (Tc)
    Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 10V
    „Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 960 mOhm @ 5.7A, 10V
    VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 5V @ 250µA
    Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 94nC @ 10V
    VG (maks.) : ±30V
    Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 3500pF @ 25V
    FET funkcija : -
    Galios išsklaidymas (maks.) : 300W (Tc)
    Darbinė temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Montavimo tipas : Through Hole
    Tiekėjo įrenginio paketas : TO-3P
    Pakuotė / Byla : TO-3P-3, SC-65-3

    Galbūt jus taip pat domina
    • ZVN4206AV

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3.

    • FCD7N60TF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 600V 7A DPAK.

    • FDD5810

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 37A DPAK.

    • BSL211SPT

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-TSOP.

    • BSL207SPL6327HTSA1

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 20V 6A 6-TSOP.

    • IPB05N03LAT

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK.