Infineon Technologies - IRF6727MTRPBF

KEY Part #: K6419244

IRF6727MTRPBF Kainodara (USD) [99089vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.62121
  • 4,800 pcs$0.61812

Dalies numeris:
IRF6727MTRPBF
Gamintojas:
Infineon Technologies
Išsamus aprašymas:
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Diodai - Zener - masyvai, Diodai - lygintuvai - viengubi, Tranzistoriai - specialios paskirties, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks, Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Diodai - tiltiniai lygintuvai, Diodai - RF and Tiristoriai - SCR ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Infineon Technologies IRF6727MTRPBF electronic components. IRF6727MTRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF6727MTRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF6727MTRPBF Produkto atributai

Dalies numeris : IRF6727MTRPBF
Gamintojas : Infineon Technologies
apibūdinimas : MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Serija : HEXFET®
Dalies būsena : Active
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 30V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 32A (Ta), 180A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 4.5V, 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 1.7 mOhm @ 32A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 2.35V @ 100µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 74nC @ 4.5V
VG (maks.) : ±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 6190pF @ 15V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Darbinė temperatūra : -40°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas : Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas : DIRECTFET™ MX
Pakuotė / Byla : DirectFET™ Isometric MX