Dalies numeris :
FDU068AN03L
Gamintojas :
ON Semiconductor
apibūdinimas :
MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK
Technologija :
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) :
30V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C :
17A (Ta), 35A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) :
4.5V, 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG :
5.7 mOhm @ 35A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID :
2.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs :
60nC @ 10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds :
2525pF @ 15V
Galios išsklaidymas (maks.) :
80W (Tc)
Darbinė temperatūra :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas :
Through Hole
Tiekėjo įrenginio paketas :
I-PAK
Pakuotė / Byla :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA