Vishay Semiconductor Diodes Division - ESH3BHE3_A/H

KEY Part #: K6457058

ESH3BHE3_A/H Kainodara (USD) [331777vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.11764
  • 2,550 pcs$0.11706

Dalies numeris:
ESH3BHE3_A/H
Gamintojas:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Išsamus aprašymas:
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB. Rectifiers 100V 3.0A 25ns Glass Passivated
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Diodai - tiltiniai lygintuvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Diodai - lygintuvai - masyvai, Diodai - lygintuvai - viengubi, Galios tvarkyklės moduliai, Diodai - RF and Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division ESH3BHE3_A/H electronic components. ESH3BHE3_A/H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ESH3BHE3_A/H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ESH3BHE3_A/H Produkto atributai

Dalies numeris : ESH3BHE3_A/H
Gamintojas : Vishay Semiconductor Diodes Division
apibūdinimas : DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
Serija : Automotive, AEC-Q101
Dalies būsena : Active
Diodo tipas : Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 100V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 3A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 900mV @ 3A
Greitis : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) : 40ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 5µA @ 100V
Talpa @ Vr, F : 70pF @ 4V, 1MHz
Montavimo tipas : Surface Mount
Pakuotė / Byla : DO-214AB, SMC
Tiekėjo įrenginio paketas : DO-214AB (SMC)
Darbinė temperatūra - sankryža : -55°C ~ 175°C

Galbūt jus taip pat domina
  • FFD08S60S-F085

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK. Rectifiers 8A, 600V Stealth II Rectifier

  • BAS16

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 85V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching SOT23 215mA 75V 4ns

  • VS-8EVL06-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK.

  • VS-8EVX06-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK.

  • VS-8EVH06-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK. Rectifiers 600V 8A SlimDPAK FRED

  • VS-6EVL06-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK. Rectifiers 600V 6A SlimDPAK FRED