STMicroelectronics - STP19NM50N

KEY Part #: K6397709

STP19NM50N Kainodara (USD) [24872vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$1.65703
  • 10 pcs$1.47855
  • 100 pcs$1.21241
  • 500 pcs$0.93141
  • 1,000 pcs$0.78553

Dalies numeris:
STP19NM50N
Gamintojas:
STMicroelectronics
Išsamus aprašymas:
MOSFET N-CH 500V 14A TO-220.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tiristoriai - DIAC, SIDAC, Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas, Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Diodai - tiltiniai lygintuvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai and Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in STMicroelectronics STP19NM50N electronic components. STP19NM50N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STP19NM50N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STP19NM50N Produkto atributai

Dalies numeris : STP19NM50N
Gamintojas : STMicroelectronics
apibūdinimas : MOSFET N-CH 500V 14A TO-220
Serija : MDmesh™ II
Dalies būsena : Active
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 500V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 14A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 250 mOhm @ 7A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 34nC @ 10V
VG (maks.) : ±25V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 1000pF @ 50V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 110W (Tc)
Darbinė temperatūra : 150°C (TJ)
Montavimo tipas : Through Hole
Tiekėjo įrenginio paketas : TO-220AB
Pakuotė / Byla : TO-220-3

Galbūt jus taip pat domina
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • FDD9407L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 100A.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • TK35A08N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 80V 35A TO-220.

  • TK58A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 58A TO-220.

  • TK34A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 34A TO-220.