Vishay Siliconix - SISS27ADN-T1-GE3

KEY Part #: K6396170

SISS27ADN-T1-GE3 Kainodara (USD) [230853vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.16022
  • 3,000 pcs$0.15077

Dalies numeris:
SISS27ADN-T1-GE3
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Išsamus aprašymas:
MOSFET P-CH 30V 50A POWERPAK1212.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, Diodai - lygintuvai - viengubi, Tranzistoriai - IGBT - masyvai, Tranzistoriai - JFET, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Diodai - lygintuvai - masyvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF and Diodai - tiltiniai lygintuvai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Vishay Siliconix SISS27ADN-T1-GE3 electronic components. SISS27ADN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SISS27ADN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SISS27ADN-T1-GE3 Produkto atributai

Dalies numeris : SISS27ADN-T1-GE3
Gamintojas : Vishay Siliconix
apibūdinimas : MOSFET P-CH 30V 50A POWERPAK1212
Serija : TrenchFET® Gen III
Dalies būsena : Active
FET tipas : P-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 30V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 50A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 4.5V, 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 5.1 mOhm @ 15A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 2.2V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 55nC @ 4.5V
VG (maks.) : ±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 4660pF @ 15V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 57W (Tc)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas : Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas : PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Pakuotė / Byla : PowerPAK® 1212-8S

Galbūt jus taip pat domina
  • DMP6110SVT-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 60V TSOT26.

  • SSN1N45BTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 450V 500MA TO-92.

  • IRFI9Z24GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET P-CH 60V 8.5A TO220FP.

  • DMG9N65CT

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB.

  • DMG4N60SCT

    Diodes Incorporated

    MOSFET NCH 600V 4.5A TO220.

  • FDN8601

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 100V 2.7A 3SSOT.