Microsemi Corporation - JAN1N6627U

KEY Part #: K6442387

[3150vnt. sandėlyje]


    Dalies numeris:
    JAN1N6627U
    Gamintojas:
    Microsemi Corporation
    Išsamus aprašymas:
    DIODE GEN PURP 400V 1.75A E-MELF.
    Manufacturer's standard lead time:
    Prekyboje
    Tinkamumo laikas:
    Vieneri metai
    Čipas nuo:
    Honkongas
    RoHS:
    Mokėjimo būdas:
    Siuntos būdas:
    Šeimos kategorijos:
    PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Diodai - lygintuvai - masyvai, Tiristoriai - TRIAC, Tiristoriai - DIAC, SIDAC, Galios tvarkyklės moduliai, Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai), Tranzistoriai - IGBT - masyvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF and Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai ...
    Konkurencinis pranašumas:
    We specialize in Microsemi Corporation JAN1N6627U electronic components. JAN1N6627U can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N6627U, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    JAN1N6627U Produkto atributai

    Dalies numeris : JAN1N6627U
    Gamintojas : Microsemi Corporation
    apibūdinimas : DIODE GEN PURP 400V 1.75A E-MELF
    Serija : Military, MIL-PRF-19500/590
    Dalies būsena : Active
    Diodo tipas : Standard
    Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 400V
    Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 1.75A
    Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 1.35V @ 2A
    Greitis : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Atbulinės eigos laikas (trr) : 30ns
    Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 2µA @ 400V
    Talpa @ Vr, F : -
    Montavimo tipas : Surface Mount
    Pakuotė / Byla : SQ-MELF, E
    Tiekėjo įrenginio paketas : D-5B
    Darbinė temperatūra - sankryža : -65°C ~ 150°C

    Galbūt jus taip pat domina
    • RJU6052SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 600V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/10A/25ns Trr/TO-252

    • RJU4352SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 430V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 430V/20A/23ns Trr/TO-252

    • RJU3052SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 360V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 360V/20A/40ns Trr/TO-252

    • UD0506T-TL-H

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 5A 600V LOW VF

    • RD0306T-TL-H

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 3A TPFA.

    • STPS20M100SFP

      STMicroelectronics

      DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO220FP.