Vishay Semiconductor Opto Division - VEMT2020X01

KEY Part #: K7359527

VEMT2020X01 Kainodara (USD) [370455vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.10034
  • 6,000 pcs$0.09984
  • 12,000 pcs$0.09836
  • 30,000 pcs$0.09615

Dalies numeris:
VEMT2020X01
Gamintojas:
Vishay Semiconductor Opto Division
Išsamus aprašymas:
PHOTOTRANSISTOR NPN GULLWING. Phototransistors Gullwing 790-970nm +/-15 deg
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Optiniai jutikliai - foto detektoriai - loginė išv, Jutiklio laidas - priedai, Optiniai jutikliai - foto detektoriai - nuotolinis, Judesio jutikliai - IMU (inerciniai matavimo viene, Judesio jutikliai - pakreipimo jungikliai, Artumo jutikliai, Optiniai jutikliai - foto pertraukikliai - lizdo t and Optiniai jutikliai - atstumo matavimas ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Vishay Semiconductor Opto Division VEMT2020X01 electronic components. VEMT2020X01 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VEMT2020X01, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VEMT2020X01 Produkto atributai

Dalies numeris : VEMT2020X01
Gamintojas : Vishay Semiconductor Opto Division
apibūdinimas : PHOTOTRANSISTOR NPN GULLWING
Serija : Automotive, AEC-Q101
Dalies būsena : Active
Įtampa - kolektoriaus skleidėjo suskirstymas (maks.) : 20V
Dabartinis - kolektorius (Ic) (maks.) : 50mA
Dabartinis - tamsus (ID) (maks.) : 100nA
Bangos ilgis : 860nm
Žiūrėjimo kampas : 30°
Galia - maks : 100mW
Montavimo tipas : Surface Mount
Orientacija : Top View
Darbinė temperatūra : -40°C ~ 100°C (TA)
Pakuotė / Byla : 2-SMD, Gull Wing

Galbūt jus taip pat domina
  • K4A4G085WE-BIRC

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

  • K4ABG165WA-MCWE

    Samsung Semiconductor

    32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

  • K4A4G085WE-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BCTD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

  • K4A4G165WE-BCWE

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.