BYG21M-E3/TR Kainodara (USD) [675536vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$0.05475
- 1,800 pcs$0.05098
- 3,600 pcs$0.04673
- 5,400 pcs$0.04390
- 12,600 pcs$0.04106
- 45,000 pcs$0.03776
- Dalies numeris:
- BYG21M-E3/TR
- Gamintojas:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Išsamus aprašymas:
- DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A. Rectifiers 1.5 Amp 1000 Volt
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai), Tranzistoriai - specialios paskirties, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, Tiristoriai - SCR, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks, Diodai - lygintuvai - masyvai, Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas and Tiristoriai - SCR - moduliai ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYG21M-E3/TR electronic components. BYG21M-E3/TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYG21M-E3/TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BYG21M-E3/TR Produkto atributai
Dalies numeris :
BYG21M-E3/TR
Gamintojas :
Vishay Semiconductor Diodes Division
apibūdinimas :
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A
Serija :
-
Dalies būsena :
Active
Diodo tipas :
Avalanche
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
1000V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
1.5A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
1.6V @ 1.5A
Greitis :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) :
120ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
1µA @ 1000V
Talpa @ Vr, F :
-
Montavimo tipas :
Surface Mount
Pakuotė / Byla :
DO-214AC, SMA
Tiekėjo įrenginio paketas :
DO-214AC (SMA)
Darbinė temperatūra - sankryža :
-55°C ~ 150°C
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
-
FFD08S60S-F085
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK. Rectifiers 8A, 600V Stealth II Rectifier
-
BAS16
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 85V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching SOT23 215mA 75V 4ns
-
-
-
VS-8EVH06-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK. Rectifiers 600V 8A SlimDPAK FRED
Karštos dalys
- D251N14BXPSA1
- SB350-B
- APD140VD-G1
- LL103C-7
- NSR10F40QNXT5G
- F1857D400
- GP10-4003E-M3/54
- CD0603-B0230
- VS-60CPF12PBF
- 1N3890A
- SSB43LHE3/52T
- ESH2PD-E3/84A
- RP 1HV1
- PMEG2005AEA/DG,115
- SB350S-E3/54
- 1N1205BR
- MR851RL
- EGP50AHE3/54
- 1N4247GPHE3/54
- BYD33JGP-E3/73
- BAS 3020B E6327
- SBL1640
- MUR450PFRLG
- D121K18BXPSA1
- FFPF05U60STTU
- 241NQ045R
- S20420
- 30WQ03FN
- VS-31DQ06
- CDLL1A50
- D170S25BS1XPSA1
- UH2C-M3/52T
- STPSC4H065DI
- RG 2V
- RFN2LAM4STR
- AS3BD-M3/I
- EGL34F-E3/83
- RF08L6STE25
- S3M M6G
- GP10A-E3/54