Microsemi Corporation - APT38N60BC6

KEY Part #: K6397762

APT38N60BC6 Kainodara (USD) [11943vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$3.79443
  • 10 pcs$3.41542
  • 100 pcs$2.80832
  • 500 pcs$2.35291
  • 1,000 pcs$2.04931

Dalies numeris:
APT38N60BC6
Gamintojas:
Microsemi Corporation
Išsamus aprašymas:
MOSFET N-CH 600V 38A TO-247.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai), Tiristoriai - DIAC, SIDAC, Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai, Diodai - lygintuvai - masyvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF, Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF, Diodai - „Zener“ - vienviečiai and Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Microsemi Corporation APT38N60BC6 electronic components. APT38N60BC6 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT38N60BC6, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT38N60BC6 Produkto atributai

Dalies numeris : APT38N60BC6
Gamintojas : Microsemi Corporation
apibūdinimas : MOSFET N-CH 600V 38A TO-247
Serija : CoolMOS™
Dalies būsena : Active
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 600V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 38A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 99 mOhm @ 18A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 3.5V @ 1.2mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 112nC @ 10V
VG (maks.) : ±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 2826pF @ 25V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 278W (Tc)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas : Through Hole
Tiekėjo įrenginio paketas : TO-247 [B]
Pakuotė / Byla : TO-247-3

Galbūt jus taip pat domina
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • IRLR024NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRLR2908PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.

  • TK100A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 100A TO-220.

  • TK10A80E,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 800V TO220SIS.